Il transistore di field - effect (FET) funziona in modalità di svuotamento all'interno di un circuito. Il canale tra le giunzioni di source e drain è normalmente aperto, con la corrente non incontrando resistenza mentre viaggiano sopra il canale. Tensione è applicata fino al bivio di cancello, colpisce la resistenza che incontra la corrente attraverso il canale, aumentando o diminuendo di esso. Il risultato è una resistenza variabile che può essere controllata all'interno del circuito variando la tensione al cancello.
Istruzioni
• Calcolare la caduta di tensione necessaria nel circuito e calcolare la resistenza necessaria per ottenere la tensione. Un campo - effetto transistor (FET) utilizzato come un resistore controllato in tensione opererà all'interno di un intervallo specifico di valori di resistenza. Revisione specifiche FET per identificare il componente che fornisce la resistenza specificata.
• Progettare il circuito intorno il FET viene utilizzato al posto di un resistore di valore fisso o variabile. La caduta di tensione sarà si verificano tra l'origine e porta di scarico. La giunzione del cancello deve essere collegata alla fonte di tensione di controllo, come è questa tensione che controlla le caratteristiche di resistenza del transistor.
• Applicare tensione positiva (p-scanalatura) o negativo (canale n) al cancello per aumentare la resistenza del FET. Diminuendo la tensione ha l'effetto opposto fino a zero volt sono presenti presso il cancello, a quel punto la resistenza del FET sarà alla sua specifica minima.