FET è un'abbreviazione per Transistor a effetto di campo, un tipo di dispositivo elettronico che controlla il flusso di corrente elettrica attraverso un circuito. Il tipo più semplice di FET è un resistore controllato in tensione, in cui l'elemento resistivo è una barra di silicio. Il termine FET latch-up si intende uno stato distruttivo, ad alta corrente che può essere innescato da determinate condizioni elettriche che agiscono sui componenti del FET. FET latch-up in genere impedisce il normale circuito di controllo.
Semiconduttore
Un FET è composto da due tipi di crystal semiconductor - materiali che conducono l'elettricità, ma molto male..--conosciuto come materiali di tipo n e tipo p. Due terminali, o elettrodi, noti come lo scarico e l'origine, sono collegati al materiale di tipo n, mentre un terzo terminale, noto come il cancello, è collegato al materiale di tipo p. La corrente che scorre tra la fonte e scolo è controllata da un campo elettrico creato da una tensione applicata tra la sorgente e il cancello.
Causa
FET latch-up si verifica quando quattro regioni alternate di tipo n e p-type sono portate vicino insieme, tale che formano efficacemente due transistori bipolari - transistori che utilizzano sia positivi che negativi carica vettori - noti come transistor NPN o PNP. La corrente elettrica applicata alla base del primo transistor è amplificata e passata al secondo transistore. Se la corrente in uscita di entrambi i transistor è maggiore la corrente di ingresso..--o in altre parole, l'attuale "guadagno" è maggiore di 1..--aumenta la corrente che attraversa gli entrambo.
Effetti
FET latch-up conduce ad eccessiva dissipazione di potenza e logica difettosa nella porta interessata, o cancelli. Dissipazione di potenza eccessiva genera calore eccessivo, che può distruggere il FET complessivamente in casi estremi. FET latch-up è quindi estremamente indesiderabile e sua prevenzione è diventata una questione di design più importanti, specialmente nel moderno transistor. Transistori moderni hanno ridotto a dimensioni microscopiche con micro 59 pollici, o 59 milionesimi di pollice, nel tentativo di aumentare la densità del circuito e migliorare le prestazioni complessive.
Prevenzione
Un FET è ciò che è noto come un dispositivo di elemento portante di maggioranza. In altre parole, corrente è condotta da specie di vettore di maggioranza, sia negativamente particelle cariche, chiamate elettroni, o elementi portanti di caricati positiva, chiamati buchi..--dipendendo dal disegno preciso del FET. FET latch-up può essere evitato separando i materiali di tipo n e tipo p con la struttura di FET. Separazione è spesso raggiunto da una trincea profonda, stretta riempita con materiale isolante tra i materiali di tipo n e p-tipo di incisione.